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投资逾60亿元的宜昌多晶硅材料及太阳能电池产业项目将于下月开工建设，湖北省信息产业厅请来中科院梁骏吾和闻立时等9位院士专家参加规划论证会，为多晶硅产业链发展规划支招。
5月23日，南玻发布公告称，公司拟分期投资建设4500-5000吨多晶硅材料项目。项目一期工程拟投资1.5亿美元，建设年产1500吨高纯多晶硅生产基地，其中包括太阳能级和电子级高纯多晶硅材料及太阳能硅片等产品，厂址选定为湖北省宜昌经济技术开发区，建设周期约18个月。对于此举，业内人士大多持保留意见，而硅业在线分析，南玻投资多晶硅的前景光明，但是要看是否能够挺住冲击。
目前行业内普遍存在的问题一是技术，另一个就是工厂投产后的需求。
多晶硅技术垄断在国际七大厂商手中，对技术采取封锁，国内普遍所采取的提炼高纯硅的方法为改良西门子反应法，技术基本上从俄罗斯引进。有人认为俄罗斯本身的技术工艺比西方国家差了很多，属于二流工艺，出口到中国的技术只怕属于三流，峨眉半导体、新光和中硅等厂经过多年发展仍然没有收到好的效果。而且耗能，污染一直得不到良好控制。
目前，全球尤其是中国光伏产业存在严重缺硅的问题，多晶硅价格一直居高不下，甚至被炒到一个疯狂的价位。受到资本的驱使，国内项目纷纷上马，据硅业在线统计，08年第三季度这些厂家产能全部释放，总产量将超过1.2万吨。全球各大厂商也在不断扩大生产，德国瓦克公司计划将产能提升到14500吨/年，而全球最大的多晶硅生产厂商HEMLOCK也计划将产能提高50%，在2010年达到19000吨/年。全球最大的多晶硅上游供应商之一Elkem Solar和全球最大的太阳能光伏产品生产商之一BP太阳能均断言，根据目前国际上各大企业的扩产计划，到2008年多晶硅供应就将不再短缺。而中国电子材料协会人士认为，市场对多晶硅的需求存在泡沫。国内现在更多地是一个炒作，多晶硅出厂的价格并没有像市场上炒的那么高。同时硅业在线也注意到，下游厂家在采购同时也不再一味盲目，而是以较为理性的眼光来看待。
在政策上，国家的扶持力度不是很够，而全靠消费者本身的购买力，推广是个大问题。有人对外宣称太阳能已经深入农村千家万户，这纯粹是空谈和炒作行为。一套最基本的太阳能热水热水设备在千元左右，即使对于逐渐富裕起来的农村来说价格还可以接受，但是冬天洗澡需要在室内，而农村有多少家庭拥有浴室？至于光电设备就目前来说更是空谈。
不过，南玻的优势也是相当明显的。
对于俄罗斯的技术，南玻曾数次派人去俄罗斯对采用该技术的多晶硅厂商进行过实地调研。而且，在和俄罗斯方面就引进技术谈判的时候，南玻是按照半导体级的标准要求的。这样即使产品不达标，但保证太阳能级多晶硅的生产成问题，而且公司很早之前就在筹建多晶硅项目，目前国内紧缺的技术人才已经陆续到位，学习，吸收并改进技术比较快。
而对于08年产能过剩的问题，硅业在线认为，这同时也存在着一个炒作的问题。实际上，08年国内的产量不会超过一万吨。而且南玻实力雄厚，在建设过程中不存在资金不足的问题。南玻的目标是打造多晶硅产业链，产供销一条龙，这次梁骏吾等专家这次的建议，更有利于打造完整的产业链，在销售方面压力能延缓一下。而且国内一些城市已经在尝试推广太阳能的尝试，国家也可能会意识到太阳能的重要性，迎头赶上，我们已经走在别人的后面，现在不要被人家甩得更远，防止“八国联军”再卷土重来。
附：梁骏吾档案
梁骏吾,中国工程院院士、半导体材料专家,1933年出生于汉口，原籍黄陂前川小西门内。
幼时他先后在汉口和黄陂读小学。1945年在武汉一中念书，1955年于武汉大学毕业后被选派赴苏联科学院冶金研究所读研究生，攻读半导体材料专业。1960年获副博士学位。回国后，进入刚刚成立的中国科学院半导体研究所，投身于半导体研究40余年。这40余年，他在中国半导体材料领域取得一项又一项科研成果.
60年代初，中国科学院将高纯硅单晶的制备列为重点。梁骏吾承担了这一任务。从设计、制作到单晶提纯生产工艺，实现了关键技术的突破，创造性地解决了国产高频区熔炉不能长期、稳定、可靠运行的难题，不仅满足了区熔硅生产的需要，还能满足其他多种工艺的要求。这一成果被高频炉生产厂家一直延用至今。用该设备完成了国家重点科研任务，得到了电阻率104Ohm-cm的高纯硅单晶，是当时国际上领先技术。
1964年，他负责半导体外延工作，为砷化镓液相外延作出了开拓性的工作。用这种材料首次在国内研制成功室温脉冲、相干激光器。
1966年至1969年，他负责156工程集成电路用硅外延材料国家任务，解决了连续生长高掺杂硅外延层、介质sio2层、多晶硅层等的工艺技术，为我国第一代介质隔离集成电路提供了外延材料和设备。
1978年以后，党中央提出“一定要把大规模集成电路搞上去”。要完成这一任务，首当其冲的是硅单晶质量要上去。梁骏吾在4K和l6K位DRAM研制中，负责硅单晶材料。解决了有害杂质、氧含量、缺陷的控制及后处理等技术，成功地拉制了无位错、无漩涡、低微缺陷、低碳、可控氧含量的高质硅单晶材料。这两项研究分别获中国科学院1979、1980年重大科技成果奖。
在研究半导体材料中杂质与缺陷相互作用的基础上，梁骏吾首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了长期困扰生产厂家的硅中位错运动和繁殖以及电阻率的均匀性等重大技术难题，获得了机械性能好、电阻率均匀的区熔硅单晶。这一成果在许多材料和器件工厂得到了广泛的应用，并获1988年中国科学院科技进步一等奖。
在“七五”和“八五”攻关中，梁骏吾解决了外延中气体动力学与热力学耦和计算的问题，为外延炉设计提供了理论依据。完成了新一代微机控制光加热外延炉。这一成果被鉴定后认为“打破了外商垄断，国内首创”、“在外延层本底电阻率、过渡区宽、掺杂电阻率、径向不均匀度等多项参数上均达到国际先进水平”。
1992年，他“突破了我国多年来未能生长低阈值电流密度的量子阱激光器MOCVD材料的局面”，全面完成了863任务—MOCVD AIGaAs/GaAs量子阱超晶格材料任务，为第二代光电材料(超晶格、量子阱)的研制作出了贡献。
由于梁骏吾在半导体材料研究中硕果累累，先后获国家级和省部委级科技奖10余次。1985年被评为研究员、博士生导师，1993年被评为“中国科学院优秀导师”，1990年还被评为“国家级有突出贡献中青年专家”，1997年被遴选为中国工程院院士。现担任中国科学院半导体研究所研究员，并在多所大学兼任教授。是中国电子学会理事、电子材料分会主任、中国材料学会理事。(硅业在线)
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